AMD认为GDDR5无法跟上GPU性能的增长速度，同时，GDDR5不断上升的功耗可能很快就会大到阻止图形性能的增长。相比之下，GDDR5需要更多的芯片和电路电压才能达到高带宽。
NAND、DRAM和Optics等技术将受益于片上集成技术，而且在技术上并不兼容。HBM是一种低功耗、超宽带通信通道的新型存储芯片。它使用垂直堆叠的存储芯片，通过被称为“硅透”(TSV)的线相互连接，HBM突破了现有的性能限制。
此外，HBM相比GDDR5，减少了通信成本，单位带宽能耗更低，制作工艺更高，所以极大减少晶元空间。
总结为了提供具有独特功能和优势的各种 DRAM 技术，JEDEC 为 DDR 定义并制定了三大类标准：标准 DDR、移动 DDR 和图形 DDR。标准 DDR 面向服务器、数据中心、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用，支持更大的通道宽度、更高的密度和不同的外形尺寸。移动 DDR 或 LPDDR 面向非常注重规格和功耗的移动和汽车应用，提供更窄的通道宽度和几种低功耗 DRAM 状态。图形 DDR 面向需要极高吞吐量的数据密集型应用。JEDEC 已将 GDDR 和 HBM 定义为两种图形 DDR 标准。SoC 设计人员可以在各种存储器解决方案或标准中挑选，以满足其目标应用的需求。选定的存储器解决方案会影响其 SoC 的性能、功耗和规格要求。下载链接：2024中国物联网安全行业概览：解除网络威胁，物联网的智能守护
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